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BC856AT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC856AT
廠商型號

BC856AT

參數(shù)屬性

BC856AT 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SC75

功能描述

PNP Silicon AF Transistor

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

145.66 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

BC856AT規(guī)格書詳情

PNP Silicon AF Transistor

Preliminary data

? For AF input stages and driver applications

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary types: BC 846T

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BC856AT,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    400mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-75

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A SC75

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP/恩智浦
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NA/
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