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BC856B

PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC856B

PNPgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BC856B

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC856B

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)

DIODES

Diodes Incorporated

BC856B

NPNgeneralpurposeTransistor

FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

BC856B

0.2WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors

Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

BC856B

PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS

VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES ?GeneralPurposeAmplifierApplications ?NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign ?CollectorCurrentIC=-100mA ?Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

BC856B

PNPDualGeneralPurposeTransistors

PNPDualGeneralPurposeTransistors PbLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC856B

PNPGeneralPurposeTransistor

Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

BC856B

SMDGeneralPurposeTransistor(PNP)

SMDGeneralPurposeTransistor(PNP) Features ?PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications

TAITRON

TAITRON Components Incorporated

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BC856ATA

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT -

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ZTX
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更多BC856ATA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-6 15:37:00

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