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BC856BDW1T3G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP高捷芯城

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  • 廠家型號(hào)：

    BC856BDW1T3G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi(安森美)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7957

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-363-6(SC-70-6)

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    熱賣(mài)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-27 8:12:00

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原廠料號(hào)：BC856BDW1T3G品牌：onsemi(安森美)

原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)

  • 芯片型號(hào)：

    BC856BDW1T3G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    123.82 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual General Purpose Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    BC856BDW1T3G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 80V Dual PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳小姐

  • 手機(jī)：

    13554797626

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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