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BC857ARF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
BC857ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司	TSC
BC857AT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC857AT	文件：353.66 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AT	文件：153.92 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BC857AT	文件：109.69 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialDieConstruction ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847AT,BT,CT) ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ?GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AT	文件：286.68 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?EpitaxialDieConstruction ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSen	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC857AT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
BC857AT	文件：52.17 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-45V ?IC=-100mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:BC847AT,BT,CT ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AT	文件：55.58 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC847...T	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC857AT	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
BC857AT	文件：738.81 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
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BC857AT	文件：344.49 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC857AT	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857AT	文件：352.2 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyinportableequipment. DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75(SOT416)plasticpackage.NPNcomplements:BC846T;BC847Tseries.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC857A-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
BC857AW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) ?ForswitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC857AW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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