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BC858BRFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
BC858B-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC858BW	文件：167.03 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BC858BW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) ?ForswitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC858BW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC858BW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858BW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC858BW	文件：544.42 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC858BW	文件：98.64 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC858BW	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC858BW	文件：449.72 Kbytes Page：5 Pages	BC856AW FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications *OperatingTemp.:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC858BW	文件：148.53 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
BC858BW	文件：480.83 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryPNPSiliconTypesAvailable ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC858BW	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30hzand15kHz ?Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC858BW	文件：586.99 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BC858BW	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?Ideallysuitedforautomaticinsertion ?ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BC858BW	文件：125.69 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
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BC858BWG	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
BC858BW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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更多BC858BRFG供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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