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BC858B-TP

PNPSmallSignalTransistor310mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BC858BW

PNPGeneralPurposeTransistor

PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

BC858BW

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features ?IdeallySuitedforAutomaticInsertion ?ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) ?ForswitchingandAFAmplifierApplications ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101

DIODES

Diodes Incorporated

BC858BW

PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BC858BW

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

BC858BW

PNPSiliconAFTransistors

?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC858BW

GeneralPurposeTransistorPNPSilicon

GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

BC858BW

SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors

Diotec

Diotec Semiconductor

BC858BW

PNPSiliconAFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC858BW

BC856AW

FEATURES *Ideallysuitedforautomaticinsertion *ForSwitchingandAFAmplifierApplications *OperatingTemp.:-55°C~+150°C

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BC858BTC

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT -

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMSUNG
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只做進(jìn)口原裝正品!現(xiàn)貨或者訂貨一周貨期!只要要網(wǎng)上有
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SOT-23
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全新原裝 貨期兩周
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SOT-23
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SOT-23
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SAMSUNG/三星
SOT-23
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2112+
SOT-23
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更多BC858BTC供應(yīng)商 更新時間2025-1-24 14:36:00

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