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BC859B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC859B
廠商型號(hào)

BC859B
參數(shù)屬性

BC859B 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
功能描述

PNP general purpose transistors
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

46.38 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Philips【飛利浦】

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-28 20:00:00
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BC859B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

PNP transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complements: BC849 and BC850.

FEATURES

? Low current (max. 100 mA)

? Low voltage (max. 45 V).

APPLICATIONS

? Low noise input stages of audio frequency equipment.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC859BLT1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    220 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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