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BC859C	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC859C	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC859C	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC859,BC860 ?ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC859C	文件：218.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846,BC847,BC848,BC849,BC850(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC859C	文件：186.97 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagin	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC859C	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC859C	文件：137.75 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC849andBC850. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS ?Lownoiseinputstagesofaudiofrequencyequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC859C	文件：41.03 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●NPNcomplements:BC849andBC850.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BC859C	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC859C	文件：922.79 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRating –HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V ?Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC859C	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30hzand15kHz ?Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC859C	文件：145.27 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC859C	文件：540.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
BC859C	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BC859CL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSPNPSILICON DESCRIPTION The BC856857858859ALBL/CLareavailablein SOT23package FEATURES ?MoistureSensitivityLevel:1 ?ESDRatingHumanBodyModel:>4000V MachineModel:>400 V ?AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
BC859CMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ?SwitchingandAmplifierApplications ?Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits ?LowNoise:BC859,BC860 ?ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BC859CW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation200mW ?PlasticcaseSOT-323 ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC859CW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors ?ForAFinputstagesanddriverapplications ?Highcurrentgain ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Lownoisebetween30Hzand15kHz ?Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BC859CW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC859CW	文件：50.33 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN

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更多BC859BWIC供應(yīng)商更新時間2025-1-14 11:00:00

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