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BC859CLT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BC859CLT1G |
| 參數(shù)屬性 | BC859CLT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| 文件大小 |
172.95 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-27 15:10:00 |
BC859CLT1G規(guī)格書詳情
BC859CLT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BC859CLT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
General Purpose Transistors
PNP Silicon
Features
? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101
Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BC859CLT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
100MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PTIF |
2310+ |
SOP/DIP |
3699 |
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詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
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ON/安森美 |
NA |
275000 |
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2021+ |
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22+ |
SOT23 |
25000 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
SOT-23-3(TO-236) |
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