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CTNS-4306S	文件：264.06 Kbytes Page：7 Pages	FastRecoveryandHighPowerDiode	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
EC4306C	文件：58.13 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
ERB4306	文件：119.7 Kbytes Page：2 Pages	PlasticfastRecoverRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
ERB4306	文件：119.7 Kbytes Page：2 Pages	PlasticfastRecoverRectifierReverseVoltage200to800VForwardCurrent0.5A Features ?Lowreverseleakage ?Highforwardsurgecapability ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength.5lbs.(2.3kg)tension ?LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard MechanicalData ?Terminals:Platedaxialleads ?Polarity:Colorbanddeno	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌電子如皋市大昌電子有限公司	DACHANG
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F4306R	文件：205.26 Kbytes Page：2 Pages	HCMOS,7.5x5mm,2.85VSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FJN4306R	文件：70 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) ?Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit ?BuiltinbiasResistor(R1=10K?,R2=47K?) ?ComplementtoFJN3306R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FMN-4306S	文件：182.9 Kbytes Page：4 Pages	SiliconDiode Description TheFMN-4306Sisafastrecoverydiodeof600V/30A.Themaximumtrrof100nsisrealizedbyoptimizingalife-timecontrol. Features ●VRM------------------------------------------------------600V ●IF(AV)-------------------------------------------------------30A ●VF-----	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
FMW-4306	文件：181.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Description TheFMW-4306isa60V,30ASchottkydiodewithallowingimprovementsinVFcharacteristic.Thesecharacteristicfeaturescontributetoimprovingpowersupplyefficiencyandtoenablinghigh-frequencysystems. Features ●VRSM------------------------------------------------------6	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
FMW-4306	文件：181.62 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken

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