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BCP53-10H

80V,1APNPmediumpowertransistors

Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinamediumpowerSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■High-temperatureapplicat

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCP53-10H

80V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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BCP53-10H

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplicationsupto175?C ?AEC-Q101qualified

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BCP53-10H-Q

80V,1APNPmediumpowertransistors

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?High-temperatureapplications

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BCP53-10T

80V,1APNPmediumpowertransistors

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BCP53-10T

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability

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BCP53-10T

80V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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BCP53-10T-Q

80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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BCX53-10

PNPSiliconAFTransistors

PNPSiliconAFTransistors ?ForAFdriverandoutputstages ?Highcollectorcurrent ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BCX54...BCX56(NPN) ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCX53-10

PNPSiliconAFTransistors

Features ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCX54…BCX56(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BCP53-10 T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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交期準(zhǔn)時 服務(wù)周到
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一級代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
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