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BCP55-16-C

NPNSiliconMediumPowerTransistor

FEATURES ?ForAFDriverandOutputStages ?HighCollectorCurrent ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BCP55-16-Q

60V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP55-16T

60V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BCP55-16T

60V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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BCX55-16

60V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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BCX55-16

60V,1ANPNmediumpowertransistors

1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEITA NPNcomplement BCX55BCX52 BCX55-10BCX52-10 BCX55-16 SOT89SC-62 BCX52-16 2.Featuresandbenef

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BCX55-16

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 LowVoltage HighCurrent APPLICATIONS DriverStagesofAudioAmplifiers

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BCX55-16

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ?PNPComplementstoBCX51,BCX52,BCX53 ?LowVoltage ?HighCurrent APPLICATIONS ?DriverStagesofAudioAmplifiers

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BCX55-16

NPNMediumPowerTransistors

Features ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

BCX55-16

SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCP55-16 T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多BCP55-16 T/R供應商 更新時間2025-2-8 11:30:00

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