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BCP5610QTA分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BCP5610QTA
廠商型號

BCP5610QTA

參數(shù)屬性

BCP5610QTA 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223-3

功能描述

80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

文件大小

444.71 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 23:15:00

BCP5610QTA規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > 80V

? IC = 1A High Continuous Collector Current

? ICM = 2A Peak Pulse Current

? 2W Power Dissipation

? Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 500mV @ 0.5A

? Complementary PNP Type: BCP5316Q

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? PPAP Capable (Note 4)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BCP5610QTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A SOT223-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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