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BCP5616TQTC

Marking：BCP5616T；Package：SOT223；80V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features ?BVCEO>80V ?IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=2APeakPulseCurrent ?2WPowerDissipation ?LowSaturationVoltageVCE(SAT)

DIODES

Diodes Incorporated

BCP5616TQTC

Package：TO-261-4，TO-261AA；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

PAM

Diodes Incorporated

BCX5616

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR

SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR COMPLEMENTARYTYPE–BCX5316 PARTMARKINGDETAIL–BL

Zetex

Zetex Semiconductors

BCX5616

NPNmediumpowertransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司

BCX5616Q

80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT89

Features BVCEO>80V Ic=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2.0APeakPulseCurrent LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BCX5616QTA

80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT89

Features BVCEO>80V Ic=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2.0APeakPulseCurrent LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BCX5616QTC

80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT89

Features BVCEO>80V Ic=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2.0APeakPulseCurrent LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

BCX5616TA

NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORSINSOT89

Features ?BVCEO>45V,60V&80V ?Ic=1AContinuousCollectorCurrent ?ICM=2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

CPH5616

N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice

Features ?LowON-resistance. ?Ultrahigh-speedswitching. ?4Vdrive. ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitaing-densitymounting.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會社

DXT5616U

80VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINTO126

Features BVCEO>80V IC=1AContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BCP5616TQTC

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Diodes Incorporated
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TO-261-4 TO-261AA
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NEXPERIA/安世
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SOT-223-3
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百域芯優(yōu)勢 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅
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更多BCP5616TQTC供應(yīng)商 更新時間2025-4-25 13:58:00

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