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BCR112分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR112
廠商型號

BCR112
參數(shù)屬性

BCR112 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
功能描述

NPN Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
絲印標(biāo)識

WFs
封裝外殼

SOT-23 / SC-70，SOT-323
文件大小

206.83 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-4 8:30:00
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晶體管資料

  • 型號：

    BCR112

  • 別名：

    BCR112三極管、BCR112晶體管、BCR112晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    DTC143ZK,KSR1114,RN1406,2SC4146,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

BCR112規(guī)格書詳情

BCR112屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BCR112晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

NPN Silicon Digital Transistor

? Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

? Built in bias resistor (R1=4.7k?, R2=4.7k?)

? For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BCR112WE6327BTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 5mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT323

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
2021/2022+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7000
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