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BCR142W	文件：34.82 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCR142W	文件：195.95 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor ?Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit ?Builtinbiasresistor(R1=22k?,R2=47k?)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR142W	文件：118.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR142W	文件：842.45 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR142WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCR142WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BD142	文件：132.57 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistorPowerLinerarandSwitchingApplications [Comset] LFLargeSignalPowerAmplification LowSaturationVoltage HighDissipationRating Intendedforawidevarietyofintermediate-powerapplications. Itisespeciallysuitedforuseinaudioandinvertercircuitsat12volts.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BD142	文件：108.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Highdissipationrating APPLICATIONS ·LFlargesignalpoweramplification ·Intendedforawidevarietyofintermediatepowerapplications. ·Suitedforuseinaudioandinvertercircuitsat12V	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD142	文件：81.27 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS LFLargeSignalPowerAmplification LowSaturationVoltage HighDissipationRating Intendedforawidevarietyofintermediate-powerapplications. Itisespeciallysuitedforuseinaudioandinvertercircuitsat12volts. Com	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD142	文件：129.61 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Highdissipationrating APPLICATIONS ·LFlargesignalpoweramplification ·Intendedforawidevarietyofintermediatepowerapplications. ·Suitedforuseinaudioandinvertercircuitsat12V	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD142	文件：109.77 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD142	文件：75.19 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTORPOWERLINERARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD142	文件：353.49 Kbytes Page：2 Pages	PRO-ELECTRONPOWERTRANSISTORS	Solitron Solitron Devices Inc.	Solitron
BH142	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
BS142	文件：132.74 Kbytes Page：3 Pages	WIDEWAVELENGTHBANDTYPEPHOTODIODE BlueSensitivePhotodiodes	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美國夏普微電子公司（SMA）	SHARP
BTS142D	文件：359.77 Kbytes Page：10 Pages	SmartLowsidePowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETinSmartSIPMOS?technology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features ?LogicLevelInput ?InputProtection(ESD) ?Thermalshutdownwithautorestart ?Overloadprotection ?Shortcircuitprotection ?Overvoltageprotecti	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS142D	文件：278.51 Kbytes Page：11 Pages	SmartLowSidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BZD142	文件：55.13 Kbytes Page：8 Pages	ZenBlockTM;zenerwithintegratedblockingdiode DESCRIPTION CavityfreecylindricalglasspackagethroughImplotecTM(1)technology.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES ?Zenerandblockingfunctioninonepackage ?Glasspassivated ?Lowleakagecurrent	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BZD142W	文件：50.22 Kbytes Page：8 Pages	ZenBlockTM;zenerwithintegratedblockingdiode DESCRIPTION CavityfreecylindricalglasspackagethroughImplotec?(4)technology.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES ?Zenerand600V/100nsblockingfunctioninonepackage(1) ?ProtectsMOSFETSorpower	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BZG142	文件：61.03 Kbytes Page：8 Pages	SMAZenBlock;zenerwithintegratedblockingdiode	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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晶體管資料

型號：
BCR142W
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+R
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
DTC124XU,RN1308,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

詳細(xì)參數(shù)

型號：
BCR142W
制造商：
INFINEON
制造商全稱：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon Digital Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BCR142W供應(yīng)商更新時間2024-12-22 14:04:00

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