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BCR583分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

BCR583
廠商型號

BCR583

參數屬性

BCR583 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor
TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

114.92 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-22 13:00:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BCR583

  • 別名:

    BCR583三極管、BCR583晶體管、BCR583晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性質:

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    DTB114ES,RN2224,UN4123,2SA1526,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0

BCR583規(guī)格書詳情

BCR583屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由英飛凌科技股份公司制造生產的BCR583晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。

PNP Silicon Digital Transistor

? Built in bias resistor (R1= 10 k?, R2= 10 k?)

? Pb-free (RoHS compliant) package

? Qualified according AEC Q101

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    BCR583E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    PG-SOT23

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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