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BCV26

PNP Darlington transistors

DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.60V) ?VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS ?Whereveryhighamplificationisrequired.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BCV26

PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS

FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPE-BCV26-BCV27 BCV46-BCV47

Zetex

Zetex Semiconductors

BCV26

PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current)

PNPSiliconDarlingtonTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCV26

PNP Darlington Transistor

PNPDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto800mA.SourcedfromProcess61.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BCV26

PNP Silicon Darlington Transistors

PNPSiliconDarlingtonTransistors ?ForgeneralAFapplications ?Highcollectorcurrent ?Highcurrentgain ?Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN) ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCV26

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled

Diotec

Diotec Semiconductor

BCV26

Marking：FD；Package：SOT23；PNP Darlington transistors

FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.60V) ?VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS ?Whereveryhighamplificationisrequired. DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage.NPNcomplements:BCV27andBCV47.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BCV26

SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS

FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPE?BCV26-BCV27 BCV46-BCV47 PARTMARKINGDETAILS?BCV26-ZFD BCV46-ZFE

DIODES

Diodes Incorporated

BCV26

PNP Darlington Transistor

Description Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainatcollectorcurrentsto800mA.SourcedfromProcess61.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BCV26

PNP Darlington Transistors

PNPDarlingtonTransistors forpreamplifierinputapplications

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BCV26

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    200MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BCV46,

  • 最大耗散功率：

    0.36W

  • 放大倍數(shù)：

    β>20000

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    40

  • htest：

    200000000

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0.36

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BCV26

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 100μA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20000 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    220MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP/恩智浦
24+
SOT23
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低
 詢價
onsemi(安森美)
23+
SOT-23(TO-236)
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
NXP
24+
SOT-23
890000
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十
 詢價
NEXPERIA/安世
2019+
SOT-23
78550
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價
Infineon/英飛凌
24+
SOT-23
163000
一級代理保證進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
NXP/恩智浦
22+
SOT-23
600000
航宇科工半導(dǎo)體-央企優(yōu)秀戰(zhàn)略合作伙伴!
 詢價
NXP(恩智浦)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NXP/恩智浦
2021+
NA
12000
勤思達(dá) 只做原裝正品 現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
NEXPERIA/安世
20+
SOT23
200000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
更多BCV26供應(yīng)商 更新時間2025-1-21 16:36:00

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