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BCV26	文件：43.89 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.60V) ?VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS ?Whereveryhighamplificationisrequired.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BCV26	文件：49.51 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPE-BCV26-BCV27 BCV46-BCV47	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCV26	文件：141.95 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current) PNPSiliconDarlingtonTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BCV26	文件：36.39 Kbytes Page：4 Pages	PNP Darlington Transistor PNPDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto800mA.SourcedfromProcess61.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BCV26	文件：49.55 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors PNPSiliconDarlingtonTransistors ?ForgeneralAFapplications ?Highcollectorcurrent ?Highcurrentgain ?Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN) ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCV26	文件：169.45 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation250mW ?PlasticcaseSOT-23(TO-236) ?Weightapprox.0.01g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BCV26	文件：318.76 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.60V) ?VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS ?Whereveryhighamplificationisrequired. DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage.NPNcomplements:BCV27andBCV47.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BCV26	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPE?BCV26-BCV27 BCV46-BCV47 PARTMARKINGDETAILS?BCV26-ZFD BCV46-ZFE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BCV26	文件：111.16 Kbytes Page：5 Pages	PNP Darlington Transistor Description Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainatcollectorcurrentsto800mA.SourcedfromProcess61.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCV26	文件：130.229 Kbytes Page：2 Pages	PNP Darlington Transistors PNPDarlingtonTransistors forpreamplifierinputapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BCV26	文件：122.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES ?Highcurrent(max.500mA) ?Lowvoltage(max.60V) ?VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS ?Whereveryhighamplificationisrequired.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BCV26	文件：76.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCV26	文件：298.3 Kbytes Page：9 Pages	PNP Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCV26	文件：528.69 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCV26	文件：217.08 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BCV26	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCV26_00	文件：217.08 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BCV26_07	文件：76.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCV26_11	文件：528.69 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BCV26_15	文件：122.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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晶體管資料

型號：
BCV26
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-P+Darl
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
40V
最大電流允許值：
0.5A
最大工作頻率：
200MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BCV46,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍數(shù)：
β>20000
圖片代號：
H-15
vtest：
40
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0.36

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BCV26
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
PNP - 達(dá)林頓
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1V @ 100μA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
頻率 - 躍遷：
220MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	BCV26	NXP/恩智浦	24+	SOT23	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	BCV26	onsemi(安森美)	23+	SOT-23(TO-236)	3022	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BCV26	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	BCV26	NXP	18+	SOT-23	890000	全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十	詢價
深圳市金華微盛電子有限公司	BCV26	NEXPERIA/安世	2019+	SOT-23	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價
深圳市宇集芯電子有限公司	BCV26	Infineon/英飛凌	24+	SOT-23	163000	一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理	詢價
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	BCV26	NXP/恩智浦	22+	SOT-23	600000	航宇科工半導(dǎo)體-央企優(yōu)秀戰(zhàn)略合作伙伴!	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BCV26	NXP(恩智浦)	23+	N/A	12000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	BCV26	NXP/恩智浦	2021+	NA	12000	勤思達(dá) 只做原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BCV26	NEXPERIA/安世	20+	SOT23	200000	原裝正品可含稅交易	詢價

更多BCV26供應(yīng)商更新時間2024-12-21 16:36:00

晶體管資料

產(chǎn)品屬性

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