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BCW32分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BCW32
廠商型號(hào)

BCW32

參數(shù)屬性

BCW32 封裝/外殼為T(mén)O-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

功能描述

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

180.15 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Diotec Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Diotec

中文名稱(chēng)

Diotec Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 12:15:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BCW32R

  • 別名:

    BCW32三極管、BCW32晶體管、BCW32晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    微型 (Min)_低頻或音頻放大 (LF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    30V

  • 最大電流允許值:

    0.05A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BCW72R,3DG110E,

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-9

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.15

BCW32規(guī)格書(shū)詳情

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

? Power dissipation 250 mW

? Plastic case SOT-23(TO-236)

? Weight approx. 0.01 g

? Plastic material has UL classification 94V-0

? Standard packaging taped and reeled

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BCW32

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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