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BCX19LT1G	文件：134.44 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors Features ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCX19LT1G	文件：105 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors Features ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCX19LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: ?BAS19LT1=JP ?BAS20LT1=JR ?BAS21LT1=JS ?BAS21DW5T1=JS Features ?Pb?FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1	文件：61.07 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedDiodes SWITCHINGDIODE FEATURES Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:120V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS19LT1D	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode HighVoltage SwitchingDiodeDeviceMarking: ?BAS19LT1=JP ?BAS20LT1=JR ?BAS21LT1=JS ?BAS21DW5T1=JS Features ?Pb?FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features ?NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BAS19LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant ?SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCX19LT1	文件：64.54 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors(VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors) GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BCX19LT1	文件：51.62 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
BCX19LT1	文件：87.11 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
NSVBAS19LT1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant ?SandNSVPrefixesforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements; AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features ?NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NSVBAS19LT1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BCX19LT1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
620mV @ 50mA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	BCX19LT1G	ON/安森美	22+	SOT-23	126000	原裝正品	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BCX19LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市熠燦電子科技有限公司	BCX19LT1G	ON/安森美	20+	NA	105000		詢價(jià)
深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司	BCX19LT1G	ON	21+	SOT23	84000		詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	BCX19LT1G	ON	21+	SOT-23	3000	十年信譽(yù),只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市航宇科工半導(dǎo)體有限公司	BCX19LT1G	ON/安森美	21+	SOT-23	3000	航宇科工半導(dǎo)體-中國航天科工集團(tuán)戰(zhàn)略合作伙伴!	詢價(jià)
深圳市盈盛科創(chuàng)科技有限公司	BCX19LT1G	MOTOROLA	21+	SOT23	50000	原裝庫存現(xiàn)貨支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市品優(yōu)時(shí)代科技有限公司	BCX19LT1G	onsemi/安森美	22+	原裝封裝	150000	品質(zhì)保證,信譽(yù)至上	詢價(jià)
深圳市坤融電子科技有限公司	BCX19LT1G	ONSEMI	24+		15000	原廠授權(quán)代理價(jià)格絕對優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BCX19LT1G	ON/安森美	22+	SOT23	9850	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)

更多BCX19LT1G供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 16:08:00

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