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BC51-10PA

45V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BC51-10PAS

45V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequirements ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity ?Twocurrentgainselections ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapabili

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BC51-10PAS

45V/60V/80V,1APNPmediumpowertransistors

Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■HighcollectorcurrentcapabilityIC

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BC51-10PAS-Q

45V,1APNPmediumpowertransistors

1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D) leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityand visibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits ?Highcollectorcurrentcapa

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BCP51-10

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

Features ?ForAFdriverandoutputstages ?Highcollectorcurrent ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN) ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammability

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BCP51-10

45V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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BCP51-10

PNPSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent)

PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54…BCP56(NPN)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCP51-10

PNPSiliconAFTransistors

PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCP51-10T

45V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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BCP51-10T

45V,1APNPmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?AEC-Q101qualified

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    BCX51-10 T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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