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BC55-10PA

60V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導體(中國)有限公司

BC55-10PA

60V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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BC55-10PAS

60V,1ANPNmediumpowertransistors

1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D) leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityand visibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits ?Highcollectorcurrentcapa

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安世安世半導體(中國)有限公司

BC55-10PAS

45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors

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安世安世半導體(中國)有限公司

BC55-10PAS

45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits *HighcollectorcurrentcapabilityICand ICM *Threecurrentgainselections *ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements *LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond

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BCP55-10

NPNmediumpowertransistors

DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplements:BCP51,BCP52andBCP53. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Switching.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BCP55-10

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ?ForAFdriverandoutputstages ?Highcollectorcurrent ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Complementarytypes:BCP51...BCP53(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BCP55-10

NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent)

●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP51…BCP53(PNP)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BCP55-10

NPNPlastic-EncapsulateTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BCP55-10

60V,1ANPNmediumpowertransistors

Featuresandbenefits ?Highcurrent ?Threecurrentgainselections ?Highpowerdissipationcapability ?Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) ?LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) ?AEC-Q101qualified

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詳細參數

  • 型號：

    BCX55-10 T/R

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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