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BGF119

TransientVoltageSuppressor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS119

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS119

SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmode)

SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?VGS(th)=1.6...2.6V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSS119

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS119

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

Feature ?N-Channel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS119N

OptiMOS??Small-Signal-Transistor

Features ?N-channel ?Enhancementmode ?Logiclevel(4.5Vrated) ?Avalancherated ?QualifiedaccordingtoAECQ101 ?100lead-free;RoHScompliant;Halogenfree

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CM119B

AHighlyIntegratedUSBAudioSingleChip

CMEDIA

C-Media Electronics

D119

Single&DualOutputMiniature,1WSIPDC/DCConverters

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

D119ERW

LowCost,Miniature1WSIP,WideInputDC/DCConverters

LowCost,Miniature1WSIP,WideInputDC/DCConverters KeyFeatures: ?1WOutputPower ?2:1InputVoltageRange ?1,500VDCIsolation ?ShortCircuitProtected ?MiniatureSIPCase ?Single&DualOutputs ?1.0MHMTBF ?IndustryStandardPin-Out ?LowLowCost!!

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

D119I

HighIsolationMiniature,1WSIPDC/DCConverters

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

晶體管資料

  • 型號:

    BD119

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    視頻輸出 (Vid)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    0.4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BD158,BD215,BD410,3DK204F,

  • 最大耗散功率:

    6W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.4

  • wtest:

    6

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更多BD119供應商 更新時間2025-1-22 16:00:00