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BD130 | NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS SILICONNPNTRANSISTORHOMOBASE LFLargesignalpoweramplification Highcurrentswitching RegulatedDCpowersupply CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD130 | SILICON TRANSISTOR HOMOBASE | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD130 | PRO-ELECTRON POWER TRANSISTORS | Solitron Solitron Devices Inc. | Solitron | |
NPN Plastic Encapsulated Transistor 1.5A,700VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ?PowerSwitchingApplications | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
SILICON TRANSISTOR HOMOBASE | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
NPN Plastic-Encapsulated Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
NPN Plastic Encapsulated Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
NPN Plastic-Encapsulated Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
NPN Plastic-Encapsulated Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
NPN Plastic-Encapsulated Transistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
COMMONMODECHOKE | BOTHHAND Bothhand USA | BOTHHAND | ||
10mmAnalogHighPressureSenso | BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯 | Bourns | ||
InputunderVoltageProtection | ARCH Arch Electronics Corp. | ARCH | ||
N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223envelope,intendedforuseasalinecurrentinterruptorintelephonesetsandforapplicationsinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor FEATURES ·DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ·Linecurrentinterruptorintelephonesets ·Relay,high-speedandlinetransformerdrivers. DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor inaSOT223package | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 | NEXPERIA | ||
TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SiliconPlanarZenerDiodes | SEMTECH Semtech Corporation | SEMTECH | ||
SILICONPLANARZENERDIODES | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N3055,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
100
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD130
- 功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
8423 |
4 |
公司優(yōu)勢(shì)庫存 熱賣中! |
詢價(jià) | ||||
tsl |
24+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢價(jià) | |||
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
航宇科工半導(dǎo)體-央企合格優(yōu)秀供方! |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-3 |
66900 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-3 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-126 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-3 |
16900 |
支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持! |
詢價(jià) | ||
SIE |
23+ |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
