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BD135 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD135 | Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@ | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
BD135 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES ?HighCurrent.(Max.:1.5A) ?LowVoltage(Max.:45V) ?DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=0.15A ?ComplementarytoBD136. | KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社 | KEC | |
BD135 | Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc ?ComplementarywithBD136,BD138,BD140 | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司 | MCC | |
BD135 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
BD135 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD135 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140 | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 | JIANGSU | |
BD135 | TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?HighCurrent(1.5A) ?LowVoltage(80V) | KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD. | KOOCHIN | |
BD135 | TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司 | WINNERJOIN | |
BD135 | NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES ?Highcurrent ?ComplementtoBD136,BD138andBD140 | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
45V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD165,BD175,BD226,BD233,BD437,3DA1B,
- 最大耗散功率：
12.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
12.5
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BD135
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 45V 1.5A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
22+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
7750 |
詢價(jià) | |||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
SOT-32 |
10000 |
只做原裝現(xiàn)貨 假一賠萬(wàn) |
詢價(jià) | ||
STM |
23+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
10850 |
原裝現(xiàn)貨支持送檢 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023 |
SOT-32-3 |
6000 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
18+ |
SMD |
654 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
PHI |
05+ |
原廠原裝 |
50051 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
TO-126 |
12300 |
詢價(jià) | |||
MOT |
24+ |
50 |
詢價(jià) | ||||
STM |
24+ |
原廠封裝 |
293000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) |
