| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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BD137 | Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc ?BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140 | Motorola Motorola, Inc | Motorola | |
BD137 | NPN power transistors DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | |
BD137 | NPN SILICON TRANSISTORS NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance | SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | |
BD137 | Medium Power Linear and Switching Applications Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | |
BD137 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BD137 | Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Highcurrent ?ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS ?Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BD137 | Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc ?ComplementarywithBD136,BD138,BD140 | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司 | MCC | |
BD137 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central | |
BD137 | Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@ | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
BD137 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140 | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司 | DGNJDZ | |
BD137 | TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?HighCurrent(1.5A) ?LowVoltage(80V) | KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD. | KOOCHIN | |
BD137 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140 | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司 | JIANGSU | |
BD137 | High Current TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?HighCurrent(1.5A) ?LowVoltage(80V) | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司 | DGNJDZ | |
BD137 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140 | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司 | JIANGSU | |
BD137 | NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD136,BD138,BD140 | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | |
BD137 | NPN POWER TRANSISTORS NPNPOWERTRANSISTORS FEATURES *Highcurrent(max.1.5A) *Lowvoltage(max.60V) | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | |
BD137 | SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS. TheBD136-BD138-BD140arePNPTransistors Theyarerecommendedfordriverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. NPNcomplementsareBD135-BD137-BD139. CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BD137 | TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司 | WINNERJOIN | |
BD137 | TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent | FS First Silicon Co., Ltd | FS | |
BD137 | NPN Plastic Encapsulated Transistor FEATURES Highcurrent ComplementtoBD136,BD138andBD140 | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司 | SY |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD167,BC177,BD228,BD235,BC439,3DA1C,
- 最大耗散功率：
12.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-21
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
12.5
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BD137
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 60V 1.5A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
18+ |
TO-126 |
89000 |
全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ISC |
22+ |
TO-126 |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
PHILIPS |
23+ |
TO-126 |
12300 |
詢價(jià) | |||
NXP |
2016+ |
TO126 |
2845 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
CASE77 |
6000 |
詢價(jià) | |||
NXP |
2020+ |
TO-126 |
8000 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
23+ |
TO-92L |
5000 |
全新原裝的現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
PHST |
23+ |
TO-126 |
49271 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
16+ |
TO-126 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) |
