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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
BD237	文件：104.24 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforusein5.0to10Wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BD237	文件：75.78 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBD235andBD237aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackageintededforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD236andBD238respectively. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：38.83 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications ?ComplementtoBD234/236/238respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BD237	文件：1.17188 Mbytes Page：2 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
BD237	文件：180.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Planar Transistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BD237	文件：100.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS ?Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD237	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Bipolar Transistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@IC=0.15Adc ?EpoxyMeetsUL94V0@0.125in ?ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BD237	文件：130.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS ?Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD237	文件：232.89 Kbytes Page：9 Pages	Low voltage NPN power transistors Description ThedevicesaremanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage.ThePNPtypeisBD238. Features ■Lowsaturationvoltage ■NPNtransistors Applications ■Audio,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：58.18 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD237	文件：261.41 Kbytes Page：9 Pages	NPN power transistors Description ThedevicesaremanufacturedinPlanartechnologywith“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage.ThePNPtypesareBD236andBD238respectively. Features ■NPNtransistors Applications ■Audio,	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BD237	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
BD237	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V, NPN TRANSISTORS DESCRIPTION TheUTCBD237isanNPNtransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,etc. FEATURES ComplementtoUTCBD238respectively Highcollector-emitterbreakdownvoltage	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
BD237	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD237	文件：283.29 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?PowerDissipation:PCM=1.25W,Ta=25°C ?CollectorCurrent:IC=2A ?ComplementtoBD234/236/238respectively ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
BD237	文件：138.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A ?ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS ?Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BD237	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
BD237	文件：259.089 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?WithTO-126package ?ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS ?Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD237	文件：960.35 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD238. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BD237	文件：193.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A ?ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS ?Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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晶體管資料

型號(hào)：
BD237(-6...-16)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
2A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD179,BD379,BD441,3DD61D,
最大耗散功率：
25W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
25

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
BD237
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，2V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應(yīng)商器件封裝：
SOT-32-3
描述：
TRANS NPN 80V 2A SOT32-3

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市星宇佳科技有限公司	BD237	STM	21+	SOT-32-3 (TO-126-3)	1000		詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	BD237	ST	18+	TO-126	36000	一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!	詢價(jià)
深圳市安博威科技有限公司	BD237	STM	21+	SOT-32-3 (TO-126-3)	2000	原裝正品有掛有貨	詢價(jià)
深圳市華高宇電子有限公司	BD237	STM	21+		2000	SOT-32-3 (TO-126-3)	詢價(jià)
深圳市粵駿騰電子科技有限公司	BD237	CJ	24+	TO-126	100	只做原裝	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	BD237	STM	23+	SOT-32-3 (TO-126-3)	1000	原裝現(xiàn)貨支持送檢	詢價(jià)
深圳市柏芯特電子科技有限公司	BD237	ST/意法半導(dǎo)體	2023	SOT-32-3	6000	公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	BD237	ST/意法半導(dǎo)體	24+	SOT-32-3	4650	絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市柯爾基電子有限公司	BD237	ST/意法	23+/24+	TO126	9865	主推型號(hào),原裝正品,終端BOM表可配單,可開13點(diǎn)稅	詢價(jià)
深圳市朱博士電子科技有限公司	BD237	ST MICROELETTRONICS	2425+	原廠封裝	755	原裝正品渠道可追溯	詢價(jià)

更多BD237供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 17:30:00

晶體管資料

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