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BD238G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD238G
廠商型號

BD238G
參數屬性

BD238G 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 80V 2A TO126
功能描述

Plastic Medium Power Bipolar Transistors
TRANS PNP 80V 2A TO126
封裝外殼

TO-225AA，TO-126-3
文件大小

93.13 Kbytes
頁面數量

5 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-18 14:56:00

BD238G規(guī)格書詳情

BD238G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的BD238G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Plastic Medium Power Bipolar Transistors

Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

Features

? DC Current Gain ? hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc

? Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in

? ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V Machine Model, C; >400 V

? Pb?Free Packages are Available*

產品屬性

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  • 產品編號：

    BD238G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 150mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 2A TO126

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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TO126
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