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BD239C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BD239C
廠商型號(hào)

BD239C

參數(shù)屬性

BD239C 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 2A TO220-3

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

128.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 9:48:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD239C

  • 別名:

    BD239C三極管、BD239C晶體管、BD239C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD241C,BD243C,BD581,TIP29C,3DD62E,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    30

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BD239C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 200mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 1A,4V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 2A TO220-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
POWER INTEGRATIONS/帕沃英蒂格
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