BD241C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BD241C |
參數(shù)屬性 | BD241C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220 |
功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
文件大小 |
139.97 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 13:47:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BD241C三極管、BD241C晶體管、BD241C晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
100V
- 最大電流允許值:
3A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BD243C,BD581,BD591,TIP31C,3DD64D,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
B-10
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
40
BD241C規(guī)格書詳情
Complementary Silicon Plastic Power Transisotors
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
? Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
? Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C
? High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
? Compact TO–220 AB Package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BD241C
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.2V @ 600mA,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
300μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 1A,4V
- 頻率 - 躍遷:
3MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 100V 3A TO220
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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