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BD241C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD241C
廠商型號

BD241C

參數(shù)屬性

BD241C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220

功能描述

Complementary Silicon Plastic Power Transistors

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

139.97 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 19:10:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD241C

  • 別名:

    BD241C三極管、BD241C晶體管、BD241C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD243C,BD581,BD591,TIP31C,3DD64D,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    40

BD241C規(guī)格書詳情

Complementary Silicon Plastic Power Transisotors

. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

? Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C

? High Current Gain — Bandwidth Product

fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc

? Compact TO–220 AB Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD241C

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.2V @ 600mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 3A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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