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BD241D

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●40Wat25°CCaseTemperature ●3AContinuousCollectorCurrent ●5APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable

POINN

Power Innovations Ltd

BD241D-S

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 120V 3A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BD241E

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●40Wat25°CCaseTemperature ●3AContinuousCollectorCurrent ●5APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable

POINN

Power Innovations Ltd

BD241F

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS

NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●40Wat25°CCaseTemperature ●3AContinuousCollectorCurrent ●5APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable

POINN

Power Innovations Ltd

BF241

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors designedforemitter-groundedAMandFMamplifierstages Plasticcase=JEDECTO-92 TO-18compatible ThecaseisimpervioustolightWeightapproximately0.18g Dimensionsinmm

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BF241

NPNSILICONPLANAREPITAXIALRFTRANSISTORS

A.M.Mixer,IFAmplifiersinAM/FMReceiverApplications

CDIL

Continental Device India Limited

BF241

TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)

CDIL

Continental Device India Limited

BFQ241

PNPvideotransistor

DESCRIPTION PNPsilicontransistorencapsulatedina3-leadplasticSOT54package. APPLICATIONS ?Primarilyintendedforbufferstagesinhighresolutioncolourmonitors.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BGY241

UHFamplifiermodule

DESCRIPTION TheBGY241isathree-stageUHFamplifiermoduleinaSOT482Cleadlesspackagewithaplasticcover. ThemoduleconsistsofoneNPNsiliconplanartransistordieandonebipolarmonolithicintegratedcircuitmountedtogetherwithmatchingandbiascircuitcomponentsonametallizedc

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

bq241xx

SynchronousSwitched-Mode,Li-IonandLi-PolymerCharge-ManagementICWithIntegratedPowerFETs

TI1Texas Instruments

德州儀器

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BD241D

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 40W NPN Silicon

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-220
10000
全新
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1738+
TO-220
8529
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2022+
TO-220
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BOURNSINC
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TO-TO-220
102300
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現(xiàn)貨
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Bourns
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ST
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TO-220F
23480
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更多BD241D供應(yīng)商 更新時間2025-3-9 16:00:00

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