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BD243B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD243B
廠商型號

BD243B

參數(shù)屬性

BD243B 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 80V 6A TO220-3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

191.48 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 20:00:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD243B

  • 別名:

    BD243B三極管、BD243B晶體管、BD243B晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD599,BD609,TIP41B,3DD67C,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    65

BD243B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A

80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C

·Complement to Type BD244/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD243B

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 1A,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    700μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 3A,4V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 6A TO220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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