BD329中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
BD329 |
功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
文件大小 |
121.33 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-6 8:30:00 |
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晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BD329三極管、BD329晶體管、BD329晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
32V
- 最大電流允許值:
3A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BD175,BD226,BD375,DD31,
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
B-21
- vtest:
32
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
15
BD329規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? DC Current Gain-
: hFE= 85~375(Min)@ IC= 0.5A
? Collector-Emitter Sustaining Voltage -
: VCEO(SUS)= 20V(Min)
? Complement to type BD330
APPLICATIONS
? Especially for battery equipped applications.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
BD329
- 制造商:
ISC
- 制造商全稱:
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述:
isc Silicon NPN Power Transistor
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-126 |
90502 |
詢價 | |||
ST |
21+ |
TO-126 |
23480 |
詢價 | |||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
TO-126 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
TO-126 |
156 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
PH |
24+ |
原廠封裝 |
1500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
22+ |
TO126 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | |||
NXP/恩智浦 |
24+ |
NA/ |
500 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
24+ |
SOP |
6000 |
公司現(xiàn)貨庫存,支持實單 |
詢價 | ||
PHI |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
25+ |
TO-126 |
120 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 |