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BD353P	文件：1.31672 Mbytes Page：3 Pages	35 Ampere Standard Type Positive Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
BD353P	文件：1.31674 Mbytes Page：3 Pages	35 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
BL353N	文件：1.31673 Mbytes Page：3 Pages	35AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
BL353N	文件：1.31673 Mbytes Page：3 Pages	35AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
BL353P	文件：1.31673 Mbytes Page：3 Pages	35AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導體思祁半導體有限公司	THINKISEMI
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BP353	文件：202.95 Kbytes Page：2 Pages	PRESS-FITBOSCHDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
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BTS-EL353S	文件：5.42821 Mbytes Page：7 Pages	GuardsagainstaccidentaldisconnectionofComputers,PDU’s,ServersandmostNetworkDevices.	BURLAND Burland Technology Solutions	BURLAND
BUZ353	文件：181.11 Kbytes Page：6 Pages	mainratings SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmode)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BUZ353	文件：348.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
CGY353	文件：126.59 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
CH353	文件：230.94 Kbytes Page：14 Pages	PCIPrintChip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江蘇沁恒股份有限公司	WCH
CH353L	文件：230.94 Kbytes Page：14 Pages	PCIPrintChip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江蘇沁恒股份有限公司	WCH
CP353V	文件：71.09 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsNPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize66x66MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea7.9x7.9MILS Emitter1BondingPadArea7.9x9.5MILS Emitter2BondingPadArea7.9x9.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000? BackSideMetalizatio	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
CPE-353	文件：233.45 Kbytes Page：5 Pages	piezoaudioindicators	CUI CUI Inc.	CUI
CPE-353	文件：345.51 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES ?wireleadswithpanel-mounttabs ?12Vdcrating ?2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUI CUI Inc.	CUI
CPE-353	文件：320.91 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES ?wireleadswithpanel-mounttabs ?12Vdcrating ?2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUID CUI Devices	CUID
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CPE-353A	文件：529.61 Kbytes Page：3 Pages	PIEZOBUZZERINDICATOR FEATURES ?wireleadswithpanel-mounttabs ?12Vdcrating ?88dB ?2.8kHzratedfrequencyslowpulse	CUI CUI Inc.	CUI

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更多BD353P供應商更新時間2024-12-25 16:00:00

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