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BD435

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION TheBD433,BD435,andBD437aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackage,intentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications.TheBD433isespeciallysuitableforuseincar-radiooutputstages.ThecomplementaryPNPtypesareBD43

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BD435

PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS

PNPSiliconEpibaseTransistors

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BD435

Medium Power Linear and Switching Applications

MediumPowerLinearandSwitchingApplications ?ComplementtoBD434,BD436andBD438respectively

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BD435

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorscanbeusedforamplifierandswitchingapplications.ComplementarytypesareBD438andBD442. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD435

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications

TEL

TRANSYS Electronics Limited

BD435

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS ?Formediumpowerlinearandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BD435

NPN Silicon Power Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Intendedforuseinmediumpowernearandswitchingapplications ?WithTO-126package ?Thecomplemen

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BD435

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:4A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD43322VBD43532VBD43745V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

BD435

SILICON NPN POWER TRANSISTORS

SILICONNPNPOWERTRANSISTORS. TheBD433-BD435-BD437areNPNTransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyarerecommendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. PNPcomplementsareBD434-BD436-BD438. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BD435

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-126package ?ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS ?Formediumpowerlinearandswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    32V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率：

    36W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-21

  • vtest：

    32

  • htest：

    100000100

  • atest：

    4

  • wtest：

    36

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BD435

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 10mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-32-3

  • 描述：

    TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CJ
12+
TO-126
6000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
STM
21+
SOT-32-3 (TO-126-3)
28500
原裝正品 有掛有貨
 詢價
STM
08+/09+
28500
SOT-32-3 (TO-126-3)
 詢價
PHILIPS
22+
TO-126
13568
實力現(xiàn)貨,隨便驗!
 詢價
ST專家
2021+
TO-126
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價
ST/意法
02+
TO-126
8295
深圳原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
ST
103
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
MOT
24+
1400
詢價
NULL
TO126
8400
原裝長期供貨!
 詢價
MOT
05+
原廠原裝
2731
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
 詢價
更多BD435供應(yīng)商 更新時間2025-2-21 15:44:00

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