訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>>芯片詳情
BD537KTU_ROHM/羅姆_兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial誠思涵
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
BD537KTU
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
相近型號
- BD537J
- BD537A
- BD538K
- BD538KTU
- BD537
- BD539
- BD536-J
- BD539A
- BD536J
- BD539A-S
- BD536A
- BD539B
- BD5360G-TR
- BD539B-S
- BD5360GTR
- BD539C
- BD5360G
- BD539CS
- BD5360FVE-TR
- BD539C-S
- BD5360FVETR
- BD539D
- BD5360FVE
- BD539-S
- BD536
- BD53C
- BD53E23G
- BD535P2
- BD53E23G-M
- BD535J
- BD53E23G-MTR
- BD535HA
- BD53E23GTR
- BD535H
- BD53E23G-TR
- BD535BFP
- BD53E24G
- BD535A
- BD53E24G-M
- BD5359G-TR
- BD53E24G-MTR
- BD5359GTR
- BD53E24G-TR
- BD5359G
- BD53E25G
- BD5359FVE-TR
- BD53E25G-M
- BD5359FVETR
- BD53E25G-MTR
- BD5359FVE