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BD649中文資料西門子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BD649
廠商型號

BD649

參數(shù)屬性

BD649 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

文件大小

127.08 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Siemens Ltd
企業(yè)簡稱

SIEMENS西門子

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-18 14:18:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD649

  • 別名:

    BD649三極管、BD649晶體管、BD649晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大(LF)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,BDX53C,FD50B,

  • 最大耗散功率:

    62.5W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    62.5

BD649規(guī)格書詳情

NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BD649-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 50mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FSC
19+
TO-220F
65973
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價(jià)
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2020+
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80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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TO-220F
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支持樣品 原裝現(xiàn)貨 提供技術(shù)支持!
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5000
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