BD676A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BD676A |
| 參數(shù)屬性 | BD676A 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 45V 4A TO126 |
| 功能描述 | Silicon PNP Darlington Power Transistor |
| 封裝外殼 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
124.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-14 18:44:00 |
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更多BD676A規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Collector-Emitter Breakdown Voltage— : V(BR)CEo = -45 V
? DC Current Gain— : hFE = 750(Min)@lc=-2A
? Complement to Type BD675A
APPLICATIONS
? Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BD676A
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.8V @ 40mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 2A，3V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS PNP DARL 45V 4A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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