BD681G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:BD681G品牌:onsemi

資料說明:TRANS NPN DARL 100V 4A TO126

BD681G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-225AA,TO-126-3的BD681G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號:

    bd681g

  • 規(guī)格書:

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    TRANS NPN DARL 100V 4A TO126

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    BD681G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 30mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 4A TO126

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi
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