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BD744C中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BD744C
廠商型號(hào)

BD744C

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

131.97 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-15 16:32:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD744C

  • 別名:

    BD744C三極管、BD744C晶體管、BD744C晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    110V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD546,BD712,BD912,3CK108D,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    110

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    90

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BD744C

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 90W PNP Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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