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DRA788ABF

DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor

TI1Texas Instruments

德州儀器

EVAL-ADG788EBZ

2.5ohm,1.8Vto5.5V,2.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages

GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

EVAL-ADG788EBZ

EvaluationBoardforADG788TripleSPDTSwitchinChipScalePackage

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

FZT788

PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR

FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93m?at3A *Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits

Zetex

Zetex Semiconductors

FZT788ATA

SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR

FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93m?at3A *Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits

Zetex

Zetex Semiconductors

FZT788B

PNPSiliconPlanarMediumPowerHighGainTransistor

Features ●Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93mùat3A. ●Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

FZT788B

SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUM

Features ?BVCEO>-15V ?BVCBO>-15V ?IC=-3AHighContinuousCurrent ?hFE>300@-2AandLowSaturationVoltage ?ExtremelyLowEquivalentOn-ResistanceRCE(sat)93mΩat-3A ?ComplementaryNPNType:FZT688B ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimony

DIODES

Diodes Incorporated

FZT788B

PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR

FEATURES *Lowequivalenton-resistance;RCE(sat)93m?at3A *Gainof300atIC=2AmpsandVerylowsaturationvoltage APPLICATIONS *Batterypoweredcircuits

Zetex

Zetex Semiconductors

FZT788BTA

15VPNPMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

FZT788BTA

SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR

Features ?BVCEO>-15V ?BVCBO>-15V ?IC=-3AHighContinuousCurrent ?hFE>300@-2AandLowSaturationVoltage ?ExtremelyLowEquivalentOn-ResistanceRCE(sat)93mΩat-3A ?ComplementaryNPNType:FZT688B ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimony

DIODES

Diodes Incorporated

產品屬性

  • 產品編號：

    BD788G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    2.5V @ 800mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 200mA，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    50MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 4A TO126

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
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更多BD788G供應商 更新時間2025-4-17 8:12:00

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