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BD810分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BD810
廠商型號

BD810

參數(shù)屬性

BD810 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 80V 10A TO220

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

127.26 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導體

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 22:58:00

晶體管資料

  • 型號:

    BD810

  • 別名:

    BD810三極管、BD810晶體管、BD810晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BD546C,BD710,3CK100D,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    90

產品屬性

  • 產品編號:

    BD810

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.1V @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 4A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    1.5MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 10A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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