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BD879 | NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS NPNSiliconPlanarDarlingtonTransistors BD875,BD877andBD879areepitaxialNPNsiliconplanardarlingtontransistorsinTO126plasticpackage(12A3DIN41869,sheet4).ThesedarlingtontransistorsaredesignedforrelaydriversaswellasforgeneralAFapplications.BD876BD878andBD880 | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司 | SIEMENS | |
UHFpowerLDMOStransistor | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
Single-ChipVideoandBroadcastAudioCaptureforthePCIBus | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
Providesprecisionmeasurementwithitslasertargetfeature ?FEATURES ?Easyone-handoperation ?Non-contactinfraredsensor ?Laserguideforpreciseaim ?12:1FieldofVisionRatio ?Measurestemperaturein°Fand°C ?Fixed0.95emissivity ?Auto-HOLDfunction ?2000-countbacklitLCD ?APPLICATIONS ?Electricaltroubleshooting ?Foodsafe | L-COM Infinite Electronics International, Inc. | L-COM | ||
UTILITYCABINET | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 | ||
1.5V,3VStrobeApplications ·InapplicationswheretwoNiCdbatteriesareusedtoprovide2.4V,two2SD879sareused. ·Thechargetimeisapproximately1secondfasterthanthatofgermaniumtransistors. ·LesspowerdissipationbecauseoflowCollector-toEmitterVoltageVCE(sat),permittingmoreflashesof | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
PINDiode1SectionAttenuator FEATURES ?800-1200MHz ?50dBAttenuator ?0.9dBInsertionLoss ?ConstantPhase ?TTLControl ?Small8Pin0.5Sq.Package | DAICO DAICO Industries, Inc. | DAICO | ||
PositiveECL(PECL) Description TheHA-A870SeriesofquartzcrystaloscillatorsprovideMECL10Kand10KHseriescompatiblesignalsin industrystandardfourpinDIPhermeticpackage.Systemsdesignersmaynowspecifyspace-saving,cost effectivepackagedPECLoscillatorstomeettheirtimingrequirements. | NEL Nel Frequency Controls,inc | NEL | ||
SILICONNPNEPITAXIALTYPETRANSISTOR Description For1.5VAnd3VElectronicFlashUse. Features ?Charger-uptimeisabout1mSfasterthanofagermaniumtransistor. ?Smallsaturationvoltagecanbringlesspowerdissipationandflashingtimes. | HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司 | HSMC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
1A
- 最大工作頻率：
200MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDX44,
- 最大耗散功率：
9W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
100
- htest：
200000000
- atest：
1
- wtest：
9
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD879
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全稱：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
16+ |
T0-126 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-126 |
66900 |
原廠原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-126 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
N/A |
23+ |
SMD |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
23+ |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) | ||||
ST |
21+ |
TO-126 |
23480 |
詢價(jià) | |||
ROHM |
1844+ |
MSOP8 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
ROHM |
24+ |
N/A |
90000 |
一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
ROHM |
21+ |
MSOP8 |
21000 |
一級(jí)代理進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) |
詢價(jià) | ||
ROHM/羅姆 |
22+ |
MSOP8 |
50000 |
原裝正品.假一罰十 |
詢價(jià) |
