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BD909中文資料COMSET數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

BD909
廠商型號(hào)

BD909

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS

文件大小

103.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

COMSET

中文名稱(chēng)

Comset Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-28 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BD909

  • 別名:

    BD909三極管、BD909晶體管、BD909晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD545B,BD743B,3DD68C,

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    90

BD909規(guī)格書(shū)詳情

SILICON POWER TRANSISTORS

The BD909 and DB911, are silicon epitaxial-base NPN power transistors in a TO-220

envelope. They are intended for use in power linear and switching applications.

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BD909

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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