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BD911分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BD911
廠商型號(hào)

BD911
參數(shù)屬性

BD911 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 15A TO220
功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

103.49 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Comset Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

COMSET

中文名稱

Comset Semiconductor官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-1-19 11:22:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BD911

  • 別名：

    BD911三極管、BD911晶體管、BD911晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD545C,BD743C,3DD68D,

  • 最大耗散功率：

    90W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    15

  • wtest：

    90

BD911規(guī)格書詳情

SILICON POWER TRANSISTORS

The BD909 and DB911, are silicon epitaxial-base NPN power transistors in a TO-220

envelope. They are intended for use in power linear and switching applications.

Compliance to RoHS.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BD911

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 2.5A，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 5A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    3MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 100V 15A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
2023+
TO-220-3
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