BDC01D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
,TO-226_bentlead.jpg)
廠商型號 |
BDC01D |
參數(shù)屬性 | BDC01D 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO92 |
功能描述 | One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon) |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線) |
文件大小 |
96.16 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-9 22:30:00 |
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晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BDC01D三極管、BDC01D晶體管、BDC01D晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
100V
- 最大電流允許值:
1.5A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
- 最大耗散功率:
2.5W
- 放大倍數(shù):
β=400
- 圖片代號:
A-20
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
1.5
- wtest:
2.5
BDC01D規(guī)格書詳情
BDC01D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BDC01D晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
One Watt Amplifier Transistor
NPN Silicon
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BDC01DRL1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
700mV @ 100mA,1A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 100mA,1V
- 頻率 - 躍遷:
50MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN 100V 0.5A TO92
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020+ |
SMD |
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模塊 |
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