BDC01D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
,TO-226_bentlead.jpg)
| 廠商型號 |
BDC01D |
| 參數(shù)屬性 | BDC01D 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 100V 0.5A TO92 |
| 功能描述 | One Watt Amplifier Transistor(NPN Silicon) |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線） |
| 文件大小 |
96.16 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-13 18:07:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
BDC01D三極管、BDC01D晶體管、BDC01D晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
1.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
2.5W
- 放大倍數(shù)：
β=400
- 圖片代號：
A-20
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
1.5
- wtest：
2.5
BDC01D規(guī)格書詳情
BDC01D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的BDC01D晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
One Watt Amplifier Transistor
NPN Silicon
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BDC01DRL1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
700mV @ 100mA，1A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
50MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）
- 供應商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN 100V 0.5A TO92
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BordisonsMemory |
1948+ |
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