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BDP950分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDP950
廠商型號

BDP950
參數(shù)屬性

BDP950 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 3A SOT223-4
功能描述

PNP Silicon AF Power Transistor (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

39.93 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Siemens Semiconductor Group
企業(yè)簡稱

SIEMENS【西門子】

中文名稱

德國西門子股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-4 19:56:00

晶體管資料

  • 型號：

    BDP950

  • 別名：

    BDP950三極管、BDP950晶體管、BDP950晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）_TR

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    3A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDP952,BDP954,BDP956,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-99

  • vtest：

    60

  • htest：

    100000000

  • atest：

    3

  • wtest：

    0

BDP950規(guī)格書詳情

PNP Silicon AF Power Transistor

? For AF drivers and output stages

? High collector current

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary type: BDP947, BDP949 (NPN)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    BDP950H6327XTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    85 @ 500mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT223-4-10

  • 描述：

    TRANS PNP 60V 3A SOT223-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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