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BDV64A

POWER TRANSISTORS(12A,125W)

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

BDV64A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDV65,BDV65A,BDV65BandBDV65C ●125Wat25°CCaseTemperature ●12AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,5A

POINN

Power Innovations Ltd

BDV64A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBDV64,BDV64A,BDV64BandBDV64C ?125Wat25°CCaseTemperature ?12AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof1000at4V,5A

TRSYS

Transys Electronics

BDV64A

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain APPLICATIONS ·Foruseingeneralpurposeamplifierapplications.

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BDV64A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=-12A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-2.0V(Max.)@IC=-5A ·ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BDV64A

PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS

PNPSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS TheyaresiliconepitaxialbasetransistorsmountedinTO-3PN. Theyaredesignedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications. complementaryisBDV65-A-B-C CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BDV64A

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=-12A ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max.)@lc=-5A ?ComplementtoTypeBDV65/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BDV64A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDV64A

Silicon PNP Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

BDV64A

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

BDV64A

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-218-3 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP 80V 12A TO218

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

BDV64A-S

包裝:管件 封裝/外殼:TO-218-3 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93

Bourns Inc.

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶體管資料

  • 型號(hào):

    BDV64A

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BDV66A,BDW84B,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    B-62

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    12

  • wtest:

    125

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BDV64A

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    PNP

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    60MHz

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-218

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 12A TO218

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
POWERINNOV
10
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
24+
TO-3PN
10000
全新
詢價(jià)
ST
23+
TO-247
3000
全新原裝
詢價(jià)
BOURNS
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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ST/PH
1738+
TO-3P
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
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PHILIPS/飛利浦
23+
TO-3P
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)
SEC/上優(yōu)
23+
TO3P
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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PHILIPS
22+
TO-3P
6000
十年配單,只做原裝
詢價(jià)
BDV64A
500
500
詢價(jià)
SEC
TO3P
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價(jià)
更多BDV64A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 14:30:00