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BDV65分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BDV65
廠商型號(hào)

BDV65
參數(shù)屬性

BDV65 封裝/外殼為TO-218-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 60V 12A TO218
功能描述

NPN SILICON POWER DARLINGTONS
封裝外殼

TO-218-3
文件大小

146.78 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Power Innovations Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

POINN

中文名稱

Power Innovations Ltd官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 17:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BDV65

  • 別名：

    BDV65三極管、BDV65晶體管、BDV65晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    12A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BDV67,BDW83A,FH9C,

  • 最大耗散功率：

    125W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號(hào)：

    B-62

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    12

  • wtest：

    125

BDV65規(guī)格書詳情

● Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C

● 125 W at 25°C Case Temperature

● 12 A Continuous Collector Current

● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BDV65

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 5A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    60MHz

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-218-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-218

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 12A TO218

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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