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BDW42G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

BDW42G
廠商型號

BDW42G
參數屬性

BDW42G 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN DARL 100V 15A TO220
功能描述

Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TRANS NPN DARL 100V 15A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

89.17 Kbytes
頁面數量

7 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-24 14:35:00
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BDW42G規(guī)格書詳情

BDW42G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的BDW42G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

This series of plastic, medium?power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications.

Features

? High DC Current Gain ? hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc.

? Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc:

VCEO(sus) = 80 Vdc (min) ? BDW46

100 Vdc (min) ? BDW42/BDW47

? Low Collector Emitter Saturation Voltage

VCE(sat) = 2.0 Vdc (max) @ IC = 5.0 Adc

3.0 Vdc (max) @ IC = 10.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?In Base Emitter Shunt resistors

? TO?220 Compact Package

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant*

產品屬性

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  • 產品編號：

    BDW42G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 50mA，10A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 5A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 100V 15A TO220

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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